19 | 08 | 2017
Про факультет
Кафедри
Навчальна робота
Наукова робота
Студенту
Абітурієнту
Вхід/Реєстрація

Новини

Інтерв'ю члена Оргкомітету 16-ї міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок і наносистем МКФТТПН-XVI, доктора фіз.-мат. наук, професора, зав. кафедри фізики твердого тіла і твердотільної електроніки Одеського національного університету імені І. І. Мечникова, Птащенка Олександра Олександровича




 

Птащенко Олександр Олександрович

10 січня 1940 р. н. д-р фіз.-мат. наук, проф., зав. каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки

  Державні нагороди

  • Ø медаль «За освоение целинных земель» 

Основний напрямок у  науковій діяльності

  • Ø фізика електронних і оптичних процесів, а також деградаційних явищ у напівпровідникових структурах оптоелектроніки та сенсорики 

Кандидатська дисертація

Дослідження домішкової фотопровідності та її інфрачервоного гасіння в напівпровідникових речовинах типу CdS

Місце захисту Одеський державний університет імені І. І. Мечникова

Рік захисту 1968 

Докторська дисертація

Нерівноважні процеси в сильних електричних полях у випромінюючих структурах з потенціальними бар’єрами на основі напівпровідників АIIIBV Місце захисту:

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАНУ, м. Київ.

Рік захисту 1987

 Дисертації, які були захищені під керівництвом ученого:

  1. Тимохов      Федір       Петрович.      Електролюмінесценція      ізотопних гетероструктур на основі GaAs та Ga1-хAlх As. – 1979.
  2. Марютін Віталій Іванович. Дослідження електричних, фотоелектричних і магнітних властивостей р-ν-n структур на основі GaAs                    . – 1982.
  3. Ірха Віктор Іванович. Дослідження деградаційних процесів у світловипромінюючих структурах на основі Ga1-х AlхAs під дією оптичного, рентгенівського та γ-випромінювання. – 1983.
  4. Калиниченко       Лариса            Федорівна.       Деградація       інжекційної електролюмінесценції GaAs, GaAsP та GaAlAs при низьких рівнях інжекції. – 1985.
  5. Ем Рен Сік. Деградація структур метал–арсенід галію. – 1985.
  6. Белаль Тахар. Вплив глибоких рівнів на електролюмінесценцію p-n переходів на основі GaAsP та GaAlAs. – 1986.
  7. Мороз (Маслєєва) Наталя Володимирівна. Вплив дислокацій на електричні властивості та електролюмінесценцію p-n переходів на основі GaAlAs та GaAsP. – 1986.
  8. Цап Борис Вікторович. Деградація p-n переходіва на основі GaAlAs та GaAsP під дією лазерного випромінювання. – 1988.
  9. Фусік Марек. Вплив іщнного опромінення на рекомбінаційні процеси у випромінюючих p-n переходах на основі GaAsP. – 1989.
  10. Наджіп Мансур Ноах. Вплив дислокацій на рекомбінаційні процеси у випромінюючих p-n переходах на основі GaP. – 1991.
  11. Мелконян Джемма Варанцівна. Рекомбінація носіїв заряду у випромінюючих p-n переходах на основі GaP з неоднорідностями.– 1994.
  12. Артеменко Олена Сергіївна. Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників AIIIBV. – 2004.

 Наукова школа

 Ø твердотільна електроніка

  Навчальна діяльність (лекційні курси)  

  • Ø Фізичні основи твердотільної електроніки;
  • Ø Нелінійна оптика і квантова електроніка;
  • Ø Фізичні основи оптоелектронiки;
  • Ø Квантова електроніка і оптоелектроніка;
  • Ø Проблеми сучасної фізики 

 

На кафедрі відкрито нову лабораторію по синтезу термоелектричних матеріалів



                               

                                                   

 

 

 

  Оголошення

 

  10 лютого в 1100 відбудеться засідання кафедри фізики і хімії твердого тіла.

 

Порядок денний

 

1. Про профорієнтаційну роботу кафедри.

2. Звіти викладачів кафедри про проведену роботу у січні  2017 року.

3. Різне

 

 Завідувач кафедри                                                                    В.В. Прокопів

 

                                                                              

                                                                         

                       

Новини 

 

 

 

Оголошення

1. Захист курсових робіт студентів 3-го курсу напрямку підготовки «Прикладна фізика та наноматеріали» з загальної фізики та студентів 4-го курсу   напрямку підготовки «Прикладна фізика та наноматеріали» з теоретичної фізики відбудеться 7 грудня 2016 року в аудиторії 213.

 Для організації захисту курсових робіт створити ко­мі­сію в складі:

 доц. Лоп’янко М.А. – голова

 доц. Лисак А.В.

 

 2. Захист курсових робіт студентів 3-го курсу напрямку підготовки «Прикладна фізика та наноматеріали» з загальної фізики відбудеться 12 грудня 2016 р. в аудиторії 108.

Для організації захисту курсових робіт створити ко­мі­сію в складі:

 проф. Прокопів В.В. – голова

 доц. Никируй Л.І.

 

 

 

 Шановні колеги! Раді Вас сповістити що журнал „Фізика і хімія твердого тіла” Прикарпатського національного університету Василя Стефаника був підвищений у рейтингу світової наукової бази Index Copernicus!

 

http://jml2012.indexcopernicus.com/passport.php?id=5527&id_lang=3

         

                                                                                       

Пошук
Наша гордість
Facebook

Фізико-технічний факультет ПНУ

Хто зараз на сайті

На сайті 4 гостей та відсутні користувачі

Лічильник відвідувань
602444
Сьогодні
Вчора
Цього тижня
Минулого
Всього
110
148
1175
12430
602444

Ваша IP: 23.20.103.97
Дата та час: 2017-08-19 17:39:52
Погода