16 | 01 | 2018
Про факультет
Кафедри
Навчальна робота
Наукова робота
Студенту
Абітурієнту
Вхід/Реєстрація

Наукові публікації

доктора технічних наук, професора

Новосядлого Степана Петровича

 

Монографії

  1. Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології великих інтегральних схем. - Івано-Франківськ: Сімик. - 2003. – 370 с.
  2. Новосядлий С.П. Суб-і наномікронна технологія структур ВІС. - Івано-Франківськ: Місто НВ. – 2010. - 455 с.
  3. Новосядлий С.П. Високоефективні структури ФЕП. - Івано-Франківськ: Плай. - 2015. - 354 с.
  4. Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Сучасні проблеми САПР топології структур ВІС: монографія. - Івано-Франківськ: ПП Майданчук І.І., 2015. - 228 с.
  5. Новосядлий С.П., Терлецький А.І. Діагностика субмікронних структур ВІС: монографія. - Івано-Франківськ: Сімик. - 2016. - 478 с.

 

Підручники, навчальні посібники

  1. Буджак Я. С., Когут I. Т., Новосядлий С. П. Тестовий контроль ВIC. - Львів - 1996.
  2. Буджак Я. С., Когут I. Т., Новосядлий С. П. CV-метод в технологiї мiкроелектронiки. – 1996.
  3. Буджак Я. С., Когут I. Т., Новосядлий С. П. Системна технологiя мiкроелектронiки. – Львiв - 1996.
  4. Буджак Я. С., Новосядлий С. П. Лабораторний практикум з фiзики твердого тiла. – Львiв, 1996.
  5. Когут І. Т., Голота В. І., Новосядлий С. П. Мікропроцесорна техніка. Лабораторний практикум. - Івано-Франківськ - 2005.
  6. Голота В.І., Новосядлий С.П., Махней О.В. Теорія ймовірності і математична статистика. Комп’ютерний практикум. – Івано-Франківськ - 2006.
  7. Новосядлий С.П., Запухляк Р.І., Когут І.Т., Онуфрик О.П.- Радіотехнічні кола і сигнали. Лабораторний практикум. – Івано-Франківськ: 2006. – 69 с.
  8. Новосядлий С.П., Голота В.І., Мандзюк В.І. Техніка і електроніка НВЧ. Лабораторний практикум. – Івано-Франківськ, Прикарпатський національний університет, ВДВ ЦІТ, 2007. – 116 с.
  9. Новосядлий С.П., Онуфрик О.П. Основи радіоелектроніки. Перехідні процеси в електричному колі. Навчальний посібник. – Івано-Франківськ: ВДВ ЦІТ Прикарпатського національного університету. – 2007. – 65 с.
  10. Буджак Я.С., Мельник П.І., Новосядлий С.П. Лабораторно-розрахунковий практикум з фізики напівпровідників та теорії твердого тіла. – Івано-Франківськ: Альт. – 2008. – 240 с.
  11. Новосядлий С.П., Онуфрик О.П. Основи радіоелектроніки. Однофазні електричні кола. Навчальний посібник для студентів. – Івано-Франківськ: ВДВ ЦІТ Прикарпатського національного університету. – 2008. – 145 с.
  12. Новосядлий С.П., Онуфрик О.П. Основи радіоелектроніки. Нелінійні електричні кола і довгі лінії. Навчальний посібник для студентів. – Івано-Франківськ: ВДВ ЦІТ Прикарпатського національного університету. – 2011. – 112 с.
  13. Запухляк Р.І., Новосядлий С.П., Головатий Т.В. Захист інформації в комп’ютерних системах: Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт для студентів спеціальності “Комп’ютерна інженерія”. - Прикарпатський національний університет. - Івано-Франківськ, 2012. – 34 с.
  14. Новосядлий С.П., Когут І.Т., Голота В.І., Мандзюк В.І. Методичні вказівки до виконання курсових і кваліфікаційних робіт і проектів для студентів напряму “Комп’ютерна інженерія” - Івано-Франківськ: ВДВ ЦІТ Прикарпатського національного університету. – 2011. – 67 с.
  15. Новосядлий С.П., Когут І.Т., Голота В.І., Фрик О.Б. Аналогова і цифрова обробка сигналів. Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт для студентів напряму “Комп’ютерна інженерія” - Івано-Франківськ: ВДВ ЦІТ Прикарпатського національного університету. – 2012. – 41 с.
  16. Новосядлий С.П., Онуфрик О.П. Аналогова і цифрова електроніка. Лабораторний практикум. -  Івано-Франківськ: ВДВ ЦІТ Прикарпатського національного університету. – 2012. – 94 с.
  17. Новосядлий С.П., Мандзюк В.І. Техніка і електроніка НВЧ. - Навчальний посібник з грифом МОН України. - Івано-Франківськ: ВДВ ЦІТ Прикарпатського національного університету.-2013.-452 с.
  18. Новосядлий С.П. Mathlab в радіофізиці і електроніці. - Навчальний посібник з грифом МОН України. - Івано-Франківськ: Сімик. - 2013. - 256 с.
  19. Новосядлий С.П., Мандзюк В.І., Мельник Л.В. Методичні вказівки до виконання курсових робіт з дисципліни Техніка і електроніка НВЧ для студентів напряму Прикладна фізика спеціальності Радіофізика і електроніка - Івано-Франківськ: ВДВ ЦІТ Прикарпатського національного університету імені В. Стефаника, - 2013. - 56 с.

Статті в журналах і вісниках

 

  1. В. Г. Литовченко, Б. Н. Романюк, В.Г. Попов, И.П. Лисовский, Б.Н. Шкарбан, В.П. Мельник, В.Б. Лозинский, Г.И. Хохитва, С.П. Новосядлый. Механизмы преципитации при формировании кремниевых структур БИС. // Украинский физический журнал.-1991.-Т.36.-№9.-с.1424-1429.
  2. Новосядлий С. П. Маршрут проектирования топологии БИС средствами САПР на основе ПЭВМ. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1997. - №3.- с.14-15.
  3. Новосядлий С. П. Использование полиимидных композиций в технологии многоуровневой коммутации БИС. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1997.- №4.- с.31-33.
  4. Новосядлий С. П. Фізико-технологічні аспекти формування низькотемпературних плівок функціональних шарів. // Вісник Львівського державного університету. – Серія фізична. - 1997. - №29. - с.95-105.
  5. Новосядлий С. П. Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе b - Та. // Депонированная рукопись. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1998.- №3-4.- С.22.
  6. Новосядлий С. П. Геттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИС. // Депонированная рукопись. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1998.- №2.- С.39.
  7. Новосядлий С. П. Технология локальной изоляции активных элементов больших интегральных схем. // Депонированная рукопись. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1998.- №3-4.- С.22.
  8. Новосядлий С. П. Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1998.- № 3-4.-  С.11-14.
  9. Новосядлий С. П. Цифровий телефонний апарат на основі БМК і d-модуляції. // Технологія і конструювання в електронній апаратурі. - 1998.-№1.- С.52-54.
  10. Буджак Я. С., Новосядлий С. П., Стахів О. В. Термодинамічні потенціали та кінетичні властивості актуальних кристалів твердотільної електроніки. // Вісник ДУ “Львівська політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. - 1998. - №325.- С. 28-37.
  11. Новосядлий С. П. Електрофізичне діагностування надійності структур ВІС. // Вісник ДУ “Львівська політехніка”. №367. Радіоелектроніка та телекомунікації.-1999.-С.187-197.
  12. Новосядлий С. П. Сучасні комп’ютерні системи автоматизованого проектування топології ВІС. // Вісник ДУ “Львівська політехніка”. №386. Комп’ютерна інженерія та інформаційні технології. - 1999.- С.29-37.
  13. Новосядлий С. П. Тестовий контроль електрофізичних параметрів структур в системній технології високого рівня. // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 1999.- №2. - С.58-64.
  14. Новосядлий С. П. Високоефективна технологія самосуміщеної ізоляції легованими полікремнієвими екранами для швидкодіючих К-МОН ВІС. // Технологія приладобудування. - 1999. - №1. - С.3-5.
  15. Новосядлий С. П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології ВІС. // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 1999. - №3. - С.30-38.
  16. Новосядлий С.П. Проблеми гетерування в системній технології мікроелектроніки. // Вісник Прикарпатського університету. Математика, фізика, хімія. - 1999. - Вип.2. - С.105-111.
  17. Новосядлий С. П. Математичне моделювання технологічних процесів формування структур ВІС та електрофізичне діагностування їх надійності. // Вісник ДУ “Львівська політехніка”. Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика.-1999.- №373.-С.58-62.
  18. Новосядлий С.П. Плазмохімічні процеси в системній технології великих інтегральних схем. // Вісник Харківського університету. Серія фізична.”Ядра, частинки, поля”. - 1999. - №453. - Вип.3(7). -С.61-68.
  19. Новосядлий С.П. Підвищення ефективності локальної ізоляції активних елементів ВІС. // Оптоелектроніка і напівпровідникова техніка.- 1999. - Вип.34. - С.177-185.
  20. Новосядлий С.П. Шляхи і перспективи розвитку кремнієвої комп’ютерної технології. // Наука і наукознавство. - 1999. - №2. - С.65-72.
  21. Буджак Я.С., Новосядлий С. П. Технологічні особливості і модель анодного оксидування легованих базових шарів b-Та для ТПК ЗПДВ. // Вісник ДУ “Львівська політехніка”. - №366. Автоматика, вимірювання та керування. - 1999. - С.87-93.
  22. Новосядлий С.П. Шляхи і перспективи розвитку кремнієвої комп’ютерної технології // Наука та наукознавство.-1999.-№2.-С.65-72.
  23. Новосядлий С.П. Радіаційна технологія при формуванні структур ВІС. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика і електроніка. -1999. - №63. - С.8-23.
  24. Буджак Я. С., Новосядлый С. П. Юстировка пороговых напряжений в технологии высокого уровня БИС.// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1999.- №1.- С.18-20.
  25. Новосядлий С. П. Субмікронна технологія високовольтних біполярних і  Ві-К-МОН ВІС. // Вісник Прикарпатського університету ім. Василя Стефаника. Математика і фізика.- 2000.- Вип.1.- С.125-129.
  26. Новосядлий С. П. Модель газофазного осадження плівок функціональних шарів ВІС в реакторах зниженого тиску. // Вісник Національного університету “Львівська політехніка“. Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика.- 2000.- №398. С.35-41.
  27. Новосядлий С. П. Фізико-технологічні особливості формування лока­льної ізоляції активних областей ВІС канавками. // Оптоелектроніка і напівпровідникова техніка. - 2000. - №35. - С.122-127.
  28. Новосядлий С. П. Висококонтрастний фоторезист для субмікронної топології ВІС. // Фотоелектроніка. - 2000. - №9. - С.37-41.
  29. Новосядлий С. П. Фізико-технологічні особливості плазмохімічних процесів субмікронної системної технології ВІС. // Збірник науково-технічних праць.ТОЕ. - 2000. - № 5. - С.34-41.
  30. Новосядлий С. П. Модель внутрішнього гетера, сформованого преципітацією кисню в структурах ВІС. // Вісник ДУ “Львівська політехніка”. Радіоелектроніка і телекомунікації.- 2000. - № 387. - С.116-122.
  31. Новосядлий С. П. Радіаційна технологія формування прецизійних тон­коплівкових резисторів для ВІС. // Технологія приладобудування. - 2000.-№ 3.- С.11-12.
  32. Новосядлий С. П. Особливості кристального монтажу ВІС в корпус в системній технології мікроелектроніки. // Технологія приладобудування. - 2000. - №3. - С.23-25.
  33. Курило І. В., Новосядлий С. П. Фізико-хімічні особливості субмікронної оптичної літографії ВІС. // Вісник ДУ “Львівська політехніка”. Хімія, технологія речо­вин та їх застосування. - 2000. - № 390. - С.51-54.
  34. Новосядлий С. П. Розроблення нових матеріалів і методів формування бездефектної корозійностійкої металізації. // Металофізика і новітні технології. - 2000. - Т.22. - №1. - С.51-59.
  35. Новосядлий С. П. Високоякісна технологія затворного оксидування великих інтегральних схем. // Вісник Харківського університету. - Серія фізична. “Ядра, частинки, поля”. - 2000. - №469. - Вип.1(9).- С.65-70.
  36. Іванців Н.І., Мельник П.І., Новосядлий С. П. Конструкторсько-технологічні особливості формування схем пам’яті з ультрафіолетовим і електричним стиранням на Flash i Flotox комірках. // Фізика і хімія твердого тіла.- 2001.- Т.2.- №2.- С.299-302.
  37. Новосядлий С.П. Механізми формування плівок дисиліциду титану в реакторі зниженого тиску на основі аморфного кремнію. // Металофізика і новітні технології.- 2001.- Т.23.- №5.- С.597-608.
  38. Новосядлий С. П. Радіаційна технологія при формуванні субмікронних структур ВІС. // Металофізика і новітні технології.- 2002.- №7.- С.1003-1013.
  39. Новосядлий С.П. Активація домішок в субмікронній технології формування структур ВІС. // Металофізика і новітні технології.- 2002.-Т.24.-№6.- С.777-794.
  40. Новосядлий С.П. Формування кремнієвих епітаксійних структур для суміщених ВІ-К-МОН і Д-МОН технологій ВІС. // Металофізика і новітні технології.- 2002.- Т.24- №3.- С.353-365.
  41. Новосядлий С.П. Технологічна САПР на основі тестових структур. // Фізика і хімія твердого тіла.- 2002.- Т.3.- №1.- С.179-189.
  42. Новосядлий С.П. Шляхи підвищення роз­дільної здатності проекційної літографії. // Металофізика і новітні технології.- 2002.- T.24.- №8.- С.1073-1082.
  43. Мельник П.І., Новосядлий С.П. Вуглець в кисталічній гратці монокремнію. // Фізика і хімія твердого тіла.- 2002.- Т.3.- №2 - С.348-350.
  44. Іванців Н. І., Іванців В. М., Новосядлий С. П. Особливості і моделі травлення в субмікронній технології ВІС. // Вісник Національного університету „Львівська політехніка”. Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика.- 2002.- №444.- С.48-56.
  45. Новосядлый С. П. Плазменная технология формирования субмикронных структур  БИС. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 2002.- №6- С.57-63.
  46. Новосядлий С. П. Моделі транзисторів в субмікронній технології великих інтегральних схем. // Фізика і хімія твердого тіла. -2002. -Т.3. -№4. -С.710-717.
  47. Новосядлий С.П., Запухляк Р.І. Конструкторсько-технологічні особливості формування субмікронних структур адресних схем пам’яті. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2002. - Т.3. - № 4. - С.568-582.
  48. Мельник П. І., Запухляк Р. І., Новосядлий С. П. Фізико-технологічні особливості формування структур кремнієвих сонячних елементів на основі p-n-переходів. // Металофізика і новітні технології. - 2003. - Т.25.- №3. - С. 333-352.
  49. Новосядлий С. П. Радіаційна зарядова модель К-МОН транзисторів субмікронної технології великих інтегральних схем. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - Т.4. - №1. - С.401-403.
  50. Новосядлий С.П. Аероіонізація ламінарних потоків чистих приміщень субмікронної технології великих інтегральних схем. // Фізика і хімія твердого тіла.-2003.-Т.4.-№2.-С.365-368.
  51. Новосядлий С.П., Р.І. Запухляк. Схемотехніка, структура та фізико-технологічні особливості потужних вихідних каскадів для швидкодіючих цифрових ВІС.  // Фізика і хімія твердого тіла.-2003.-Т.5.-№1.-С.573-576.
  52. Новосядлий С.П., Р.І. Запухляк., Мельник П.І. Прогнозування надійності структур великих інтегральних схем за допомогою імпульсних нерівноважних вольт-фарадних характеристик.  // Фізика і хімія твердого тіла.- 2005.-Т.6.-№1.-С.153-160.
  53. Новосядлий С. П. Поліамідні композиції в субмікронній технології формування структур великих інтегральних схем. // Металлофизика и новейшие технологии.-2005.-Т.27.-№5.-С.635-642.
  54. Новосядлий С. П., Бережанський В. М. Багатошаровий підзатворний діелектрик для динамічних схем памяті. // НПК Современние информационние и електронние технологии.-.2005.-№5.-С.318.
  55. Новосядлий С. П. Іванюк Р.М. // Шляхи підвищення надійності полімерних корпусів для ВІС. // НПК Современние информационние и електронние технологии.-.2005.-№5.-С.260.
  56. Новосядлий С.П., Р.І. Запухляк. Схемотехнічні, структурні та технологічні особливості формування субмікронних структур однокристальних мікроконтролерів із полікремнієвим затвором.  // Фізика і хімія твердого тіла.- 2006. - Т.7. - № 2. - С.153-160.
  57. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Дослідження термічних напружень в субмікронних структурах ВІС. // Фізика і хімія твердого тіла. -  2006. - Т.7. - № 4. - С.771-775.
  58. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Мезаепіпланарна технологія – як основа в реалізації субмікронних суміщених ВІ-К-Д-МОН структур ВІС. // Восточно-Европейский журнал передових технологий. – 2007. – № 1(1). – т. 25. – С.40-45.
  59. Новосядлий С.П., Іванюк Р.М. Дослідження і моделювання теплових процесів в потужних ІС. // Фізика і хімія твердого тіла.- 2007.-Т.8.-№ 1.-С.196-202.
  60. Новосядлий С.П., Атаманюк Р.Б. Мінімізація алгоритмічного процесу проектування інтегральних схем методом кремнієвої компіляції за часово-ймовірнісним критерієм. // Вісник Прикарпатського університету Математика і фізика. - 2007.- Вип. ІІІ. – С.84-89.
  61. Мельник П.І., Новосядлий С.П., Бережанський В.М., Вівчарук В.М. Спектрометрія в субмікронній технології ВІС. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – №4. – т.8.– С.791-801.
  62. Мельник П.І., Новосядлий С.П., Бережанський В.М., Вівчарук В.М. Дослідження алюмінієвої металізації структур ВІС рентгеноелектронної спектроскопію. // Металлофизика и новейшие технологии . – 2007.
  63. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М. Еліпсометрія в субмікронній технології формування структур ВІС. // Восточно-Європейский журнал передових технологий
  64. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Багатозарядна іонно-імплантаційна обробка при формуванні кишень і металізації субмікронних структур ВІС. // Металофізика і новітні технології. – 2007. – Т. 29. - № 7. – С.857-866.
  65. Новосядлий С.П., Іванюк Р.М. Підвищення теплостійкості і багатошарової металізації субмікронних структур ВІС. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – №4.– т.8. – С.850-856.
  66. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М. Технологічні особливості епітаксійного формування шаруватих наноструктур. // Східноєвропейський журнал новітніх технологій. – 2008. – №4 (4). – С.32-36
  67. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Вимірювання зарядового стану на межі Si-SiO2 за допомогою імпедансної CV-характеристики // Метрологія та вимірювальна техніка. – 2008. – В.68. – С.46-54.
  68. Атаманюк Р.Б., Новосядлий С.П. Висококонтрастне проявлення та фізико-технологічні аспекти формування субмікронної топології великих інтегральних схем. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – №1.– т.10 – С.205-214.
  69. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Джерела іонів для формування шаруватих структур ВІС. // Прикарпатський вісник НТШ. – 2009. – 1(1). – С. 151-159.
  70. Новосядлий С.П., Фрик О.Б. Електрофізичне діагностування надійності субмікронних структур великих інтегральних схем за ефектами не лінійності їх характеристик. // Прикарпатський вісник НТШ. – 2009. – 1(1). – С. 182-191.
  71. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Феноменологічний підхід до аналізу радіаційних ефектів при проектуванні субмікронних структур біполярних ІС. // Наносистеми і нанотехнології. – 2009. – т.7. – В.1. – С.73-102.
  72. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М. Формування МОН-транзисторів з ізоляцією активних елементів окисленим пористим кремнієм. // ТКЕА. – 2009. – № 3(81). – С.35-39.
  73. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Вертепний С.М. Моделювання субмікронної та нанотехнологій на основі тестових структур // Східно-Європейський журнал новітніх технологій.–2009.–№ 1(7) - С.26-39.
  74. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Перегінський В.П. Конструкторсько-технологічні особливості формування транзисторних ВІС для аналогово-цифрової схемотехніки. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – № 4. – т.10. – С. 957-970.
  75. Новосядлий С.П., Вертепний С.М., Перегінський В.П. Сигнальні графи як інструмент комп’ютерного моделювання термостабільності інтегральних гідраторів та проходження електромагнітного поля через межу середовищ // Фізика і хімія твердого тіла, - Т.11 - №3.- 2010 – С. 750-761;
  76. Новосядлий С.П., Кропивич В.В. Технологічні особливості осадження полікремнію, як основи сонячного і електронного монокремнію. // Східно-європейський журнал новітніх технологій. - 3/7 (45). – 2010. – С.451-454.
  77. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Атаманюк Р.Б., Перегінський В.П. Температурна стабільність гідраторів на основі еквівалентів інтегральних транзисторних структур p-n-p-n-типу. // Фізика і хімія твердого тіла Т.11. - № 2. – 2010. – С. 506-509;
  78. Новосядлий С.П.,Терлецький А.І., Фрик О.Б. Сучасні твердофазні технологічні процеси в субмікронній технології ВІС. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 3/7 (45).–2010.– С.52-60.
  79. Новосядлий С.П., Бережанський В.М., Вівчарук В.М. Шляхи підвищення електрофізичних параметрів підзатворного діелектрика в субмікронних структурах - Т.11. - № 4. – 2010. – С. 928-934.
  80. Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Структура, параметри, алгоритм адаптивних фільтрів в цифровій обробці сигналів сучасних ІТС // Вісник національного університету “Львівська політехніка”. Комп’ютерні системи. – 2011. – № 396.
  81. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Сорохтей Т.Р. Особливості формування SOI-структур для субмікронних ВІС з використанням багатозарядної іонної імплантації // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2011. – №3. – С. 30-43.
  82. Новосядлий С.П., Сорохтей Т.Р. Полеві транзистори з бар’єром Шотткі (ПТЗШ) на основі напівізолюючих підкладок GaAs, імплантованих ретроградно багатозарядними іонами селена // Металофізика і новітні технології. – 2011. - № 2 (4). – С.17-19.
  83. Новосядлий С.П., Сорохтей Т.Р. Удосконалена модель інтегрального біполярного супер-бета-транзистора // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2011. –№5 (9). –С.12-14.
  84. Новосядлий С.П., Атаманюк Р.Б., Сорохтей Т.Р., Мельник Л.В., Возняк Ю.В. Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. - № 1. – т.13. – С.273-278.
  85. Новосядлий С.П., Кіндрат Т.П., Сорохтей Т.Р., Возняк Ю.В. Порівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенід галієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових ВІС // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. - № 3. – т.13. – С.618-624.
  86. Новосядлий С.П., Марчук С.М., Сорохтей Т.Р., Возняк Ю.В. Дослідження ефективності гетерних технологій в структурах GaAs // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. - № 2. – т.13. – С.416-428.
  87. Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Прецизійні технології лазерної обробки топологічних елементів ІС // Східно-європейський журнал передових технологій. – 2012.-№5/5 (59). –С.35-45.
  88. Новосядлий С.П., Мельник Л.В., Кіндрат Т.П., Варварук В.М. Високоефективні структури СЕ на основі аморфно гідрогенізованого Si. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. Збірник наукових праць. Чернівці «Рута». -2012. – С.5-14.
  89. Новосядлий С.П., Мельник Л.В., Новосядлий С.В. Адаптивні фільтри в цифровій обробці сигналів сучасних,  телекомунікаційних систем. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2013, - №2/9(62). С. 48-55.
  90. Новосядлий С.П., Мельник Л.В., Кіндрат Т.П., Варварук В.М. Фізико-технологічні особливості формування металізації субмікронних GaAs - структур іонним фрезеруванням // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2013, - №4/5 (64). - С. 1-6.
  91. Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Особливості проектування слухових апаратів на інтегральній елементній базі. // Прикарпатський вісник НТШ. Серія "Число". - 2013. - № 1 (17). - С.220-237.
  92. Новосядлий С.П., Мельник Л.В., Кіндрат Т.П. Фізико-технологічні аспекти багатозарядної імплантації арсенід галію в структурах приладів і схем. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2013. - №5/5(65). - С. 29-36.
  93. Новосядлый С.П., Киндрат Т.П. Варизонные полупроводники и их преминение. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій (спецвипуск). "Технологичний аудит и резервы производства. Материалы научно-практической конференции "Научные результаты - 2013"", - 2013. - № 6/5 (14). - С. 24-27.
  94. Новосядлий С.П., Марчук С.М., Варварук В.М., Мельник Л.В. Конструкторсько-технологічні аспекти формування структур сонячних елементів (СУ) на кремнієвих епітаксійних структурах (КЕС). // Фізика і хімія твердого тіла - №1. - Т.15. - 2014. -  С. 202-205.
  95. Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенід-галієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп’ютерних систем. // Вісник НУ "Львівська політехніка" "Комп’ютерні системи та мережі". - 2014. - № 806. - С. 199-208.
  96. Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Вплив арсенідгалієвої технології на формування структур інтегральних схем. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2014. - № 3/5 (69). -  С. 25-32.
  97. Новосядлий С.П. Особливості схемотехнічного та фізико-топологічного проектування аналогових інтегральних компараторів. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2014. - № 4/5 (70). -  С. 4-15.
  98. Новосядлий С.П. Схемотехнічні, технологічні та фізико-топологічні методи підвищення швидкодії інтегральних компараторів. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2014. - № 5/5 (70). -  С. 25-33.
  99. Новосядлий С.П. Особливості та методи удосконалення цифрових компараторів. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2014. - № 6/5 (72). -  С. 34-39.
  100. Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Особливості технології кремній-та арсенід галію на ізоляторі. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2014. - № 6/9 (72). -  С. 26-31.
  101. Новосядлий С.П., Марчук С.М., Варварук В.М., Мельник Л.В. Моделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4 -  С. 872-878.
  102. Новосядлий С.П., Босацький А.М. Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs-транзисторів як основи сучасних ВІС // Фізика і хімія твердого тіла, - 2015, - т.16, №1, - С. 221-229.
  103. Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами // Фізика і хімія твердого тіла, - 2014, - т.15, № 4. - С. 420-424.
  104. Новосядлий С.П., Луцький І.М. Шляхи підвищення швидкодії GaAs-польових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ-схем  // Фізика і хімія твердого тіла, - 2015, - т.16, № 2. - С. 413-419.
  105. Новосядлий С.П., Гузік В.С. Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бета-транзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС // Фізика і хімія твердого тіла, - 2015, - т.16, № 3. - С. 592-598.
  106. Новосядлий С.П., Бойко С.І., Мельник Л.В., Новосядлий С.В. Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2015. - № 6/5 (78). -  С. 32-40.
  107. Новосядлий С.П., Бойко С.І. Конструкторсько-аналогічний аналіз польових гетеротранзисторів високої швидкодії для субмікронних структур ВІС/НВІС. // Збірник наукових праць «Вісник НТУ “ХПІ””, серія “Механіко-технологічні системи та комплекси”, - 2015, - № 36(1145). – С.3-8.

 

Тези доповідей на конференціях

 

  1. Василiв Я. О., Вiтер О. П., Когут I. Т. Новосядлий С. П. Застосування програмно-апаратних засобiв в проектуваннi i дiагностуваннi виробiв мікроелектронiки. // Матерiали Мiжнародної науково-технiчної конференцiї “Сучаснi проблеми автоматизованої розробки i виробництва радiоелектронних засобiв та пiдготовки iнженерних кадрiв”.- Львiв: - 1994.- С.91-93.
  2. Василiв Я. О., Бiрковий Ю. Л., Голинський М. П., Новосядлий С. П. Дослiдження теплових властивостей аноднооксидних покрить конструкцiйних деталей потужних мiкросхем. // Матерiали Мiжнародної науково-технiчної конференцiї “Сучаснi проблеми автоматизованої розробки i виробництва радiоелектронних засобiв та пiдготовки iнженерних кадрiв”. - Львiв - 1994.- С.97-98.
  3. Василiв Я. О., Вiтер О. П., Новосядлий С. П. Застосування програмно-апаратних засобiв в проектуваннi i дiагностуваннi виробiв мiкроелектронiки. // Матерiали Мiжнародної науково-технiчної конференцiї “Сучаснi проблеми автоматизованої розробки і виробництва радiоелектронних засобiв  та пiдготовки iнженерних кадрiв”.- Львiв:-1994.- С.91-93.
  4. Василiв Я. О., Когут I. Т., Новосядлий С. П. Електротренування КНI МОН- структур. // Матерiали Мiжнародної наукво-технiчної конференцiї “Сучаснi проблеми автоматизованої розробки i виробництва радiоелектронних засобiв та пiдготовки iнженерних кадрiв”. – Львiв - 1994. - С.94-96.
  5. Бiрковий Ю. Л., Маскович Н. П., Новосядлий С. П. Удосконалення методу хiмiчної обробки кремнiю. // Матерiали Мiжнародної науково-технiч­ної конференцiї “Сучаснi проблеми автоматизованої розробки і виробництва радiоелектронних засобiв i пiдготовки кадрiв”. - Львiв: - 1994.  - С.99.
  6. Мельник I. Ф., Новосядлий С. П., Охрименко Б. А. Люмiнiсцентнi покриття для сонячних батарей на основi активованого фосфатного скла. // Матерiали V Мiжнародної конференцiї з фiзики i техно­логiї тонких плiвок. - Iвано-Франкiвськ:-1995.-С.146.
  7. Василiв Я. О., Новосядлий С. П., Павлiв О. О. Iдентифiкацiя параметрiв бiполярного транзистора по модифiкованiй моделi Еберса-Молла. // Тези доповiдей науково-технiчної конференцiї “Досвiд розробки та застосування приладо-технологiчних САПР мiкроелектронiки”.-Львiв-1995.- с.5-7.
  8. Бiрковий Ю. Л., Новосядлий С. П. Контроль малих доз iонного легування. // Тези доповiдей V Міжнародної конференцiї з фiзики i технологiї тонких плiвок.- Iвано-Франкiвськ- 1995.- С.91.
  9. Василiв Я. О., Новосядлий С. П., Павлiв О. О. Iдентифiкацiя параметрiв бiполярного транзистора по модифiкованiй моделi Еберса-Молла. // Тези доповiдей науково-технiчної конференцiї “Досвiд розробки та застосування приладо-технологiчних САПР мікроелектронiки”.-Львiв-1995.-С.21.
  10. Василiв Я. О., Новосядлий С. П., Павлiв О. О. Вибiр нових інструментальних засобiв i оптимального маршруту проектування ВIC. // Тези доповiдей науково-технiчної конференцiї “Досвiд розробки та застосування приладо-технологiчних САПР мiкроелектронiки”.-Львiв- 1995.- С.53.
  11. Бірковий Ю. Л., Василів Я. О., Новосядлий С. П. Напівпровідниковий датчик температури. // Матерiали V Мiжнародної конференцiї з фiзики i технологiї тонких плiвок. - Iвано-Франкiвськ:- 1995.- С.75.
  12. Новосядлий С. П. Формування мiжшарової iзоляцiї кристалiв IC на основi полiiмiду. // Матерiали V Мiжнародної конференцiї з фiзики i технологiї тонких плiвок.- Iвано-Франкiвськ.- 1995.- С.95-96.
  13. Бiрковий Ю. Л., Новосядлий С. П. Пасивуючi покриття кристалiв ВIC на основi полiiмiду. // Матерiали V Мiжнародної кон­ференцiї з фiзики i технологiї тонких плiвок.- Iвано-Франкiвськ:-1995.- С.76.
  14. Новосядлий С. П. Формування захисної плівки карбiду кремнiю. // Матерiали V Мiжнародної конференцiї фiзики i технологiї тонких плiвок. - Iвано-Франкiвськ: -1995.- С.69.
  15. Новосядлий С. П. Формування захисної плівки карбiду кремнiю. // Матерiали V Мiжнародної конференцiї  фiзики i технологiї тонких плiвок. - Iвано-Франкiвськ: -1995.- С.69.
  16. Буджак Я. С., Новосядлий С. П. Структура накопичувального конденсатора для ЗПДВ на основi легованих базових шарiв b-тантала. // Тези доповiдей IV науково-технiчної конференцiї “Досвiд розробки та застосування приладотехнологiчних САПР мiкроелектронiки”. - Львiв: - 1997.- С.133-136.
  17. Новосядлий С. П. Конструкторсько-технологiчнi особливостi виготовлення накопичувального конденсатора комiрки динамiчного запам’ятовуючого пристрою довiльної вибiрки. // Тези доповiдей VI Мiжнародної конференцiї “Фiзика i технологiя тонких плiвок”. - Iвано-Франкiвськ: - 1997.- С.139-141.
  18. Когут I. Т., Новосядлий С. П. Гетерування домiшок i дефектiв в структурах ВIС. // Тези доповiдей IV науково-технiчної конферецiї “ Досвiд розробки та застосування приладо-технологічних САПР мiкроелектронiки”.- Львiв:- 1997.- С.25-26.
  19. Когут I. Т., Новосядлий С. П. Високоефективна технологiя створення самосумiщеної iзоляцiї для швидкодiючих К-МОН IC з допомогою полiкремнiю. // Тези доповiдей IV науково-технiчної конференцiї “Досвiд розробки та застосування приладо-технологiчних САПР мiкроелектронiки.” - Львiв:- 1997.- С.38-39.
  20. Когут I. Т., Новосядлий С. П. Дослiдження процесу локального окислення ВIC. // Тези доповiдей VI Мiжнародної конференцiї “Фiзика i тех­нологiя тонких плiвок”.- Iвано-Франкiвськ:- 1997.- С.151-152.
  21. Новосядлий С. П. Дослiдження впливу iонної iмплантацiї лужних металiв на порогову напругу МОН ВIC. // Тези доповiдей VI Міжнародної конференцiї” Фiзика i технологiя тонких плiвок” - Iвано-Франкiвськ:- 1997.- С.137-138.
  22. Новосядлий С. П. Технологiчнi аспекти формування низькотемпературних дiелектричних плiвок. // Тези доповiдей VI Мiжнародної конференцiї “Фiзика i технологiя тонких плiвок”. - Iвано-Франкiвськ:- 1997.-С.136.
  23. Когут I. T., Новосядлий С. П. Технологiя iзоляцiї канавками в структурах iнтегральних схем. // Тези доповiдей VI Мiжнародної конференцiї” Фiзика i технологiя тонких плiвок”. - Iвано-Франкiвськ:-1997.- С.136.
  24. Новосядлий С. П. Особливостi формування мiжшарової iзоляцiї для багаторiвневих IC. // Тези доповiдей VI Мiжнародної конференцiї” Фiзика i технлогiя тонких плiвок”. - Iвано-Франкiвськ: - 1997.-С.134-135.
  25. Новосядлий С. П. Технологія затворного окислення ВІС. // Тези доповідей VI Міжнародної конференції “Фізика і технологія тонких плівок”. - Івано-Франківськ: - 1997.-С.161-162.
  26. Новосядлий С. П. Системна технологiя мікроелектронiки ВIС. // Матеріали Мiжнародної конференцiї “Високоефективнi технологiї в машинобудуваннi”. - Харкiв: - жовтень 1998.- С. 110.
  27. Корбецький О., Новосядлий С. П., Теслюк В. Модель тепло- та масопереносу в дифузiйнiй трубi. // Матерiали Мiжнародної науково-технiчної конференцiї “Сучаснi проблеми засобiв телекомунiкацiї, комп’ютерної iнженерiї та пiдготовки спецiалiстiв”. - Львiв: - 1998.- С.178.
  28. Гранат П., Корбецький О., Новосядлий С. П., Теслюк В. Система моделювання технологiчних маршрутiв виготовлення бiполярних та К-МОН приладiв - “ПроМIC-T”. // Матерiали Мiжнародної науково-технiчної конференцiї “Сучаснi проблеми засобiв телекомунiкацiї, комп’ютерної iнженерiї та пiдготовки спецiалiстiв”. ТСSET’98. - Львiв:- 1998.- С.179-180.
  29. Новосядлий С. П. Високоефективна системна технологія мікроелектроніки великих інтегральних схем. // Тези доповідей Міжнародної конференції “Нові комп’ютерні технології в промисловості, енергетиці, банківській сфері, освіті”. - Харків:-1998.-С.38-39.
  30. Новосядлий С. П. Радiацiйне регулювання порогових напруг МОН-транзисторiв ВIС. // Матерiали Мiжнародної науково-технiчної конференцiї “Сучаснi проблеми засобiв телекомунiкацiї, комп’ютерної iнженерiї та пiдготовки спецiалicтiв”. ТСSET’98. - Львiв: - 1998.- С.167.
  31. Новосядлий С. П. Математичне моделювання технологiчних процесiв формування структур ВIC. // Тези мiжнародної науково-технiчної конференцiї “Досвiд розробки та застосування приладо-технологiчних САПР мiкроелектронiки”.- Львiв:- лютий 1999.- С. 33-35.
  32. Fedasyuk D., Mykhalchuk M., Novosyadljy S. Basic Principles and Elements of highly effective System Technology of VLSI Microelectronics. // Proceedings of the 6-th International Conference @Mixed Design of Integrated Circuits and Sistems MIX.DES’-99. -Krakow, Poland. - 1999. - P.267-270.
  33. Новосядлий С. П. Технологiчнi особливостi формування полiцидноi розводки ВIС. // Матерiали 3-ого Мiжнародного сiмпозiума “Вакуумнi технологii i обладнання”.-Харкiв.-1999. С.67-68.
  34. Новосядлий С. П. Дослідження впливу ізоконцентраційної домішки кисню на параметри затворної системи К-МОН структур. // Матеріали VII Міжнародної конференції “Фізика і технологія тонких плівок”. Івано-Франківськ. - 1999. - С.69.
  35. Новосядлий С. П. Особливості плахмохімічного травлення структур ВІС. // Матеріали VII Міжнародної конференції “Фізика і технологія тонких плівок”. Івано-Франківськ. - 1999.- С.75.
  36. Новосядлий С. П. Модель дифузії домішок при багатоетапному термічному оксидуванні. // Тези доповідей 3-ої Міжнародної науково-технічної конференції “Математичне моделювання в електротехніці, електроніці та електроенергетиці”. - Львів. - 1999.- С.196-197.
  37. Kohut I. T., Drushynin A. O., Prokopiv V. V., Freik D. M., Kozych O. V., Novosyadljy S. Р. The integral pressure transducer on the basis of silicon-on-insulator structures. // The 2-nd Workshop sensors springtime in Odessa. - 1999.- P.64-65.
  38. Prokopiv V. V., Freik D. M., Kozych O. V., Novosyadljy S. Р. Sensors of the thermalresisting operation on the basis of epitaxial structures. // The 2-nd Workshop sensors springtime in Odessa. - 1999. - P.66-67.
  39. Новосядлий С. П. Електрофiзичне дiагностування надiйностi структур ВIC. // Матерiали V Мiжнародної науково-технiчної конференцiї “Досвiд розробки та застосування приладо-технологiчних САПР мiкроелектронiки” САDSM’99. - Львiв: - 1999. С.47-49.
  40. Новосядлий С. П. Модифiкована модель Гуммеля-Пуна бiполярного транзистора для САПР ВIC. // Матерiали V Мiжнародної науково-технiчної конференцiї “Досвiд розробки та застосування приладо-технологiчних САПР мiкроелектронiки”. CADSM’99. - Львiв:- 1999.- С.103-104.
  41. Буджак Я. С., Новосядлий С. П. Формування чистих технологічних зон іонізацією ламінарних повітряних потоків. // Тези доповідей науково-технічної конференції “Проблеми і шляхи реалізації науково-технічного потенціалу військово-промислового комплексу”.- Київ.- 2000.- С.132-133.
  42. Novosyadljy S. Model of internal gettering formed by oxygen precipitation in LSI structures. // Proceedings of International Conference on Modern Problems of Telecommunications, Computer Science and Engineers Training. (TCSET’ 2000). - Lviv-Slavsko, Ukraine.- P.36.
  43. Курило І. В., Новосядлий С. П. Фізико-технологічні особливості субмікронної оптичної літографії ВІС. // Тези доповідей науково-технічної конференції “Проблеми і шляхи реалізації науково-технічного потенціалу військово-промислового комплексу”.- Київ.- 2000.- С.68-70.
  44. Новосядлий С. П. Технологія формування КЕС для високовольтних Ві-К-МОН ІС. // Матеріали VIII Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок. Івано-Франківськ.- 2001.- С.214-215.
  45. Новосядлий С. П. Полікремнієва спейсерна технологія формування субмікронних контактів ВІС. // Труды II Международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии”. - Одесса- 2001- С.263-264.
  46. Новосядлий С. П. Активація домішок швидким імпульсним відпалом. // Труды III Международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии”.- Одеса -2002.- С.158.
  47. Новосядлий С. П. Оксинітридний гетер в субмікронній технології ВІС. // Матеріали Міжнародної конференції “Эффективность реализации научного, ресурсного и промышленного потенциала в современных условиях “. (Славпром)- Славсько.- 2002.- С.93.
  48. Новосядлий С. П. Локальне електроіскрове осадження плівок в технології електронного приладобудування. // Тези Міжнародної конференції „Сучасне машинобудування”. Київ -2001.- С.37.
  49. Новосядлий С. П. Високочастотні плазмові процеси формування суб­мікронної топології ВІС. // Труды Международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии”.- Одеса 2002.- С.259.
  50. Novosyadljy S. Amplitude-phase-shift masks for projection lithography of submicron technology. // Proceedings of the VII-th International Conference CADSM 2003 “The Experince of Designing and Application of CAD Systems in Microelectronics”.-Lviv-Slavske,Ukraine.-P.66-68.
  51. Vertepnyy S., Novosyadlyy S. Amplitude-phase-shift masks for projection lithography of submicron technology. // Procceding of the fourth International Young Scientists’ Conference on Applied Physics. -Kiev – 2004. –P.111-112.
  52. Іванюк Р.М., Новосядлий С.П. Шляхи підвищення надійності полімерних корпусів для ВІС. // Матеріали Х міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок». – Івано-Франківськ – 2005. – С.128-129.
  53. Бережанський В.М., Новосядлий С.П. Дослідження термічних напружень в субмікронних структурах ВІС. // Матеріали Х міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок». – Івано-Франківськ – 2005. – С.162-163.
  54. Novosyadljy S., Berezanskjy V. The Radiative chargind model of a submicron structures technologi of mos VLSI. // Матеріали 6 міжнародної конференції молодих вчених з прикладної фізики.- Київ – 2006.- C.106-107.
  55. Novosyadljy S., Ivanuk R. Influence of alloyng addivives on temperature con stancy, heattransfer nickel coverings cases is. // Матеріали 6 міжнародної конференції молодих вчених з прикладної фізики.- Київ – 2006.- C.110.
  56. Novosyadljy S., Atamanyuk R. Silicic Compiling as Instrument of Topology of Large – Scale Arrays and Providing its Reliability at Algorithmic Level. // TCSET ’ 2006, February 28- March 4, 2006, Lviv–Slavsko, pp. 604.
  57. Novosyadljy S., Ivanuk R. Research of Influencing of Alloying Additions on Heatproof, Heath Ransfer and Welded of the Nickel Coat Corps IS. // TCSET ’ 2006, February 28- March 4, 2006, Lviv–Slavsko, pp. 606.
  58. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Зміна зарядових властивостей межі розділу Si-SiO2. // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем. Матеріали ХІ Міжнародної конференції: У 2 т.- Т. – Івано-Франківськ: Видавничо-дизайнерський відділ ЦІТ Прикарпатського національного університету ім. В.Стефаника. – 2007. – 240 с.
  59. Новосядлий С.П., Атаманюк Р.Б. Модернізація методів РЕМ електрофізичного діагностування структур ВІС та шляхи покращення погонних опорів, індуктивностей та ємностей. // Матеріали 4-ої Міжнародної конференції Теоретичні та прикладні аспекти побудови програмних систем ТААРSD’2007 Інституту нанотехнологій та системної інженерії. – 4-16 жовтня, 2007
  60. Atamanyuk R.B., Novosyadly S.P. Modernization of reristance indyctivity and capatity of conduction for submicron structures from LSI. Сьома міжнародна конференція Молодих Вчених з Прикладної фізики. Київ. 13-15 червня, 2007.
  61. Атаманюк Р.Б., Вівчарук В.М., Новосядлий С.П. Можливості молекулярного нашарування в технології формування субмікронних і наномікронних структур ВІС. // Конференція молодих вчених з фізики напівровідників “Лашкарьоаські читання”. Інститут фзики напівровідників ім. В.Є. Лашкарьова. Київ, 21-23 квітня, 2008.
  62. Stepan Novosjadly, Volodymyr Vivcharuk. Getter Efficiency of oxynitride Layer in submicron structures of LSI. // Micro et Nano Scientle Mare Magnum. XIV International Clay Conference. Castellaneta Marina-Italy, June 14-20, 2009. - pp. 661-662.
  63. Stepan Novosjadly, Volodymyr Mandzyuk, Myron Luchka. The effect of Rare-Earth Metal alloy additions on thermal tension of layered LSI structures. Micro et Nano Scientle Mare Magnum. XIV International Clay Conference. Castellaneta Marina-Italy, June 14-20, 2009. - pp. 663.
  64. Бережанський В.М., Новосядлий С.П. Динамічне пірогенне осадження плівок діоксину кремнію. // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем. Матеріали ХІІ Міжнародної конференції: У 2 т. - Т.1. – Івано-Франківськ: Видавництво “Плай” ЦІТ Прикарпатського національного університету ім. В.Стефаника, 2009. – С. 211-212.
  65. Новосядлий С.П., Возняк Ю.В. Технологічний процес формування –субмікронних структур. // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем. Матеріали ХІІ Міжнародної конференції: У 2 т. - Т.1. – Івано-Франківськ: Видавництво “Плай” ЦІТ Прикарпатського національного університету ім. В.Стефаника, 2009. – С. 263.
  66. Новосядлий С.П., Фрик О.Б. Електрофізичне діагностування надійності субмікронних структур ВІС за ефектами нелінійності їх характеристик. // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем. Матеріали ХІІ Міжнародної конференції: У 2 т. - Т.2. – Івано-Франківськ: Видавництво “Плай” ЦІТ Прикарпатського національного університету ім. В.Стефаника, 2009. – С. 399.
  67. Новосядлий С.П., Возняк Ю.В., Сорохтей Т.Р. Фізико-технологічні особливості формування комплементарних арсенід галієвих субмікронних структур ВІС // Збірник наукових праць 2-ої міжнародної конференції. Электронная компонентная база. Состояние и перспективы развития – Харків, 2009. – С.111-113.
  68. Новосядлий С.П., Возняк В.Ю., Вівчарук В.М., Вертепний С.М. Схемотехнічні та фізико-технологічні особливості інтегральних транзисторних еквівалентів з від’ємним диференціальним опором // Збірник наукових праць 2-ої міжнародної конференції. Электронная компонентная база. Состояние и перспективы развития – Харків, 2009. – С.146-149.
  69. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Атаманюк Р.Б. Металізація в субмікронних структурах ВІС // 4-та Українська наукова конференція з фізики напівпровідників – Запоріжжя, 2009. – С.
  70. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Международная  научно-техническая конференция «ТРАКТОРЫ, АВТОМОБИЛИ, МОБИЛЬНЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА: ПРОБЛЕМЫ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ» (11-14 февраля 2009 г.) Белорусский  государственный аграрный технический университет – «Нитрид бора как твердый планарный диффузионный источник для формирования субмикронных структур БИС», С. 500-501.
  71. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. “Boron nitride as solid planar diffusion a source for forming submicron structure VLSI”, 14th ICC, Castellaneta Marina, Italy, 2009, P. 662.
  72. Stepan Novosjadly, Yuri Voznjak, Andriy Vartsabiuk. Features of Forming Sub-Micron GaAs-Structures on Schottky Field-Effect Transistor. // Матеріали Х Міжнародної конференції TCSET ’ 2010, February 23- 27, Lviv–Slavske, pp. 80.
  73. Stepan Novosjadly, Taras Sorokhtej. Models Defect in GaAs with Multicharge Implantation. // Матеріали Х Міжнародної конференції TCSET ’ 2010, February 23- 27, Lviv–Slavske, pp. 351.
  74. Атаманюк Р.Б., Новосядлий С.П. Аналіз сучасних методів обробки цифрових сигналів. // Матеріали 4-ої Міжнародної науково-технічної конференції “Проблеми телекомунікації”, - 2010, 20-23 квітня, Київ, - С. 208.
  75. Атаманюк Р.Б., Новосядлий С.П. Аналіз сучасних безпровідних телекомунікаційних мереж зв’язку та методів підвищення їх швидкості. -  // Матеріали 4-ої Міжнародної науково-технічної конференції “Проблеми телекомунікації”, - 2010. 20-23 квітня, Київ, - С.61.
  76. Stepan Novosyadly, Yuri Voznyak. INFLUENCE OF IMPLANTATION AND EPITAXIAL LAYERS ON THE REDISTRIBUTION OF CHROMIUM IN SEMIINSULATING GAAS-SUBSTRATES. - ICAP-2010, Kyiv, June 16-19, 2010. – pp. 112-113.
  77. Атаманюк Р.Б., Новосядлий С.П. Передача сигналів по волоконно-оптичних лініях. // Матеріали 4-ої Міжнародної науково-технічної конференції “Проблеми телекомунікації”, - 2010. - 20-23 квітня, Київ, - С. 109.
  78. Stepan Novosjadly, Yuri Voznyak, Taras Sorokhtey. Mobility in semi-insulating GaAs doped compensating oxygen and chromium impurities. Матеріали ХШ міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок та наносистем». – Івано-Франківськ – 2011. – С.182-184.
  79. Novosjadly S.P., Voznyak Yu.V., Sorokhtey T.R., Daniluk O.V., Fryk O.B. Physical and technological aspects of forming structures of gallium arsenide technology logis to selectively doped field-effect transistor (SDFT). Матеріали ХШ міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок та наносистем». – Івано-Франківськ – 2011. – С.160-163.
  80. Novosjadly S.P., Kindrat T.P. The perspectives of the development of the Si and GaAs of high-speed digital large integrated circuits.  Матеріали ХШ міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок та наносистем». – Івано-Франківськ – 2011. – С.168-171.
  81. Новосядлий С.П., Кіндрат Т.П. Субмікронні шаруваті запам’ятовуючих пристроїв довільної вибірки з подвійним самосуміщенням для швидкодіючих комп’ютерних систем. Proceedings of the 5-th International Conference ACSN-2011. – September 29 – October 01, Lviv, - 2011, - C.28.
  82.  Novosjadly S.P., Voznyak Yu.V., Sorokhtey T.R. Concept of adaptive filtering in modern digital signal processing. Proceedings of the 5-th International Conference ACSN-2011. – September 29 – October 01, Lviv, - 2011, - C.156.
  83. Новосядлий С.П., Кіндрат Т.П. Сучасні технології цифрової обробки сигналів на декількох частотах дискретизації. Proceedings of the 5-th International Conference ACSN-2011. – September 29 – October 01, Lviv, - 2011, - C.166.
  84. Novosjadly S.P., Voznyak Yu.V, Atamanjuk R.B. Features multiplexed digital streams in modern telecommunucation system. Proceedings of the 5-th International Conference ACSN-2011. – September 29 – October 01, Lviv - 2011, - C.80.
  85. Кіндрат Т.П., Новосядлий С.П., Возняк Ю.В., Сорохтей Т.Р., Марчук С.М. Особливості гетерної технології на GaAs-структурах. Збірних тез Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-5, 9-15 жовтня, - Ужгород - 2011, - С.328.
  86. Возняк Ю.В., Кіндрат Т.П., Новосядлий С.П., Сорохтей Т.Р., Марчук С.М. Моделі напівізолюючих арсенід-галієвих шарів при їх фрмуванні компенсуючою багатозарядною імплантацією. Збірних тез Української наукової конференції з фізики напівпровідників УНКФН-5, 9-15 жовтня, - Ужгород - 2011, - С.327.
  87. Новосядлий С.П., Новосядлий С.В., Мельник Л.В. Структура, параметри, алгоритм адаптивних фільтрів в цифровій обробці сигналів в сучасних телекомунікаційних системах. // Материалы XVI Международного молодежного форума – Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке. – Харьков – 2012. – т.4. – С.86-87.
  88. Новосядлий С.В., Варварук В.М., Мельник Л.В., Кіндрат Т.П. Спеціалізовані фоторезиси для сухої літографії. // Материалы XVI Международного молодежного форуму – Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке. – Харьков – 2012. – т.3 – С. 72-73.
  89. Новосядлий С.П., Атаманюк Р.Б., Сорохтей Т.Р., Мельник Л.В., Возняк Ю.В. Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для субмікронних структур ВІС. // Материалы Международного молодежного XVI форуму – Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке. – Харьков – 2012. – т.3 – С. 96-97.
  90. Novosyadly S., Voznyak Y. Efficiency of solar elements based on heterojunctions and heterostructures. // 8-th international conference on Electronic and Inorganic Materials – Ivano-Frankivsk region, Ukraine, May 17-22, 2012. – C, 289-290.
  91. Novosyadly S.P., Kindrat T.R., Melnyk L.V., Varvaruk V.V., Voznyak Yu.V. Physical and Technological Features of the Formation of Submicron Metallization GaAsnStructures LSI ion Milling. // Materials XIV international conference Fhysics and Technology of thin Films and Nanosystems. - May, 20-25, 2013 year/ - Ivano-Frankivsk, Ukrain. - P. 143.
  92. Novosyadly S.P., Kindrat T.R., Melnyk L.V., Varvaruk V.V. X-ray Diffractometry Diagnostic Technology Sub-Micron and Nano Structures LSI. Physical and Technological Features of the Formation of Submicron Metallization GaAsn Structures LSI ion Milling. // Materials XIV international conference "Fhysics and Technology of thin Films and Nanosystems". - May, 20-25, 2013 year. - Ivano-Frankivsk, Ukrain. - P. 273.
  93. Novosyadliy S.P., Кіндрат Т.П., Мельник Л.В., Новосядлий С.В. Physical and topological modeling of active elements of large integrated circuits. // Materials VI International Conference ACSN-2013. - September, 16-18, 2013. - Lviv, Ukraine. - P.116-117.
  94. Новосядлий С.В., Мельник Л.В., Кіндрат Т.П. Фізико-технологічні багатозарядні імплантації арсенід галію в структурах приладів. // Матеріали ІІІ Міжнародної науково-практичної конференції "Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано- та мікроелектроніки". - 24-26 жовтня 2013. - Чернівці, Україна. - С.161-162.
  95.  Новосядлий С.В., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Технологія епітаксійного формування силіцидів для підвищення швидкодії ВІС. // Матеріали ІІІ Міжнародної науково-практичної конференції "Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано- та мікроелектроніки". - 24-26 жовтня 2013. - Чернівці, Україна. - С.167.
  96. Новосядлий С.В., Кіндрат Т.П., Мельник Л.В. Варізонна структура напівпровідникових приладів. // Матеріали ІІІ Міжнародної науково-практичної конференції "Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано- та мікроелектроніки". - 24-26 жовтня 2013. - Чернівці, Україна. - С.171.
  97. Мельник Л.В., Новосядлий С.В., Кіндрат Т.П., Варварук В.М. Фізико-технологічні особливості формування металізації субмікронних арсенід-галієвих структур ВІС іонним фрезеруванням. // VI Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-6, - 30 вересня - 4 жовтня 2013, - С. 388-389.
  98. Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Властивості структур і приладів на основі кремній та арсенідгалію на ізоляторі. // VI International Scientific-Practical Conference "Physical and Technological Problems Of Radio Engineering Devices, Telecommunication, Nano-And Microelectronics. - October 23-25, 2014, Chernivtsi, Ukraine. - P. 19.
  99. Novosyadly S.P., Melnyk L.V. Physical topological aspects of modelling galium arsenide super beta transistors on heterostructures for speed integrated circuit of computer systems. // NATO Advanced Research Workshop Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors, Energy Harvesting. - 13-16 April, 2015, Lviv, Ukraine, - pp. 19-20.
  100. Novosyadliy S.P., Bojko S.I. Local transistor isolation using oxidized porous silicon // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем. Матеріали ХV Міжнародної конференції: У 2 т. - Т.2. – Івано-Франківськ: п-ць Голіней О.М., 2015. – pp. 195.
  101.  Novosyadliy S.P., Melnyk L.V., Varvaryk V.M., Novosyadliy S.V., Marchuk S.M. Modern problems of CAD topology speed VLSI structures // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем. Матеріали ХV Міжнародної конференції: У 2 т. - Т.2. – Івано-Франківськ: п-ць Голіней О.М., 2015. – pp. 242-243.
  102. Новосядлий С.П., Бойко С.І., Голота В.І. Особливості багатозарядної імплантації кремнію в GaAs для формування n+-n-i-структур. // VII-ої Українсько-польська науково-практична конференція Електроніка та інформаційні технології (ЕлІТ-2015), - 27-30 серпня 2015, - Львів-Чинадієво, Україна. - С. 196-198.
  103. Новосядлий С.П., Бойко С.І. Шляхи підвищення транзисторів на гомопереходах. // Всеукраїнська науково-практична конференція молодих вчених та студентів "Перспективні напрямки сучасної електроніки, інформаційних та комп’ютерних систем" MEICS-2015, - 25-27 листопада 2015, - Дніпропетровськ, Україна. - С.173-174.
  104. Stepan Novosyadliy, Liubomyr Melnyk. Physics and chemistry of semiconductor surfaces as the basic for high-speed transistors submicron structures LIC. // XIIIth 2016 International Conference "Modern problems of radio engineering, telecommunications, and computer science" TCSET'2016, - Lviv-Slavske, Ukraine, February 23-26, 2016. - pp.
  105. Boyko Sergiy, Stepan Novosyadliy, Modernized Ebers-Moll model for SOI MOSFET computer simulation // XIIIth 2016 International Conference "Modern problems of radio engineering, telecommunications, and computer science" TCSET'2016, - Lviv-Slavske, Ukraine, February 23-26, 2016. - pp.
  106. Новосядлий С.П., Мельник Л.В. Система верифікації топології ВІС. // Міжнародна науково-практична конференція “Інформаційні технології та комп’ютерне моделювання”, 23-28 травня 2016, - Івано-Франківськ-Яремче, - С.12.
  107. Новосядлий С.П., Дзундза Б.С., Парпан П.С., Фрик О.Б. Конструктивно-технологічні особливості формування епітаксій них арсенід-галієвих структур на кремнієвих підкладках. // Матеріали V Міжнародної науково-практичної конференції “Фізико-технологіяні проблеми передавання, обробки та зберігання інформації в інфокомунікаційних системах”,  3-5 листопада 2016 р., - Чернівці, - Україна, - С.237-238.
  108. Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Генераційні параметри межі розділу кремній-оскид РЗМ в МДН-системах. // Матеріали V Міжнародної науково-практичної конференції “Фізико-технологіяні проблеми передавання, обробки та зберігання інформації в інфокомунікаційних системах”,  3-5 листопада 2016 р., - Чернівці, - Україна, - С.248.
  109. Новосядлий С.П., Бережанський В.М., Бойко С.І. Метод компенсації при функціональному моделюванні схем субмікронних структур ВІС. // Матеріали V Міжнародної науково-практичної конференції “Фізико-технологіяні проблеми передавання, обробки та зберігання інформації в інфокомунікаційних системах”,  3-5 листопада 2016 р., - Чернівці, - Україна, - С.186.
  110.  Novosyadly S. P., Terletsky A.I., Fryk O.B. Electrical and mechanical properties of ion-plasma deposited carbon films. // International research and practice conference Nanotechnology and Nanomaterials (NANO-2016), – 24-27 august 2016, - Lviv, Ukraine, - P.249.
  111. Novosyadly S. P., Melnyk L.V. Technology deposition multiply nanocoating using magnetron sputtering devices (systems). // International research and practice conference Nanotechnology and Nanomaterials (NANO-2016), – 24-27 august 2016, - Lviv, Ukraine, - P. 340-341.
  112.  Novosyadly S. P., Boyko S.I. Field effect transistor with high density heterojuction gate. // International research and practice conference Nanotechnology and Nanomaterials (NANO-2016), – 24-27 august 2016, - Lviv, Ukraine, - P. 523.                                                                       

 

Патенти

 

  1. Бирковый Ю. Л.,  Когут И. Т., Новосядлый С. П. Способ формирования контактно-металлизированной системы в интегральных схемах. // Авт. св. СССР № 1769633 от 15.06.92г.
  2. Когут И. Т., Новосядлый С. П., Худин В. Н. Способ изготовления МДП-структур. ДСП. // Авт. св. СССР №1771333 от 22. 06. 1992.
  3. Новосядлый С. П., Савчин Б. М. Способ формирования металлизации БИС. ДСП. // Авт. св. СССР №1831205 от 13.10. 1992.
  4. Когут И. Т., Новосядлый С. П. Структура интегральной схемы на МДП-транзисторах. ДСП. // Авт. св. СССР №1777518 от 22.07. 1992.
  5. Василiв Я. О., Бiрковий Ю. Л., Новосядлий С. П., Романюк Б. М. Спосiб виготовлення кремнієвих епітаксійних структур. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №94020445 від 9.03.93..№5397 від 17.02.94. МКВ5 HO1L 21/205. Бюлетень Інституту промислової власності №7 від 28.12 94.
  6. Василів Я. О., Бірковий Ю. Л., Благий Б. С., Новосядлий С. П. Спосіб виготовлення рамки вивідної для ВІС. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №94270858 від 1.04.93. №16904 від 28.07.94. МКВ5 HO1L 23/48. Бюл. №8 від 29.12.94.
  7. Василів Я. О., Бірковий Ю. Л., Кульов В. І., Новосядлий С. П., Шретер В. Г. Корпус для інтегральних схем. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №94210013 від 10.03.93. №4045 від 10.02.94. МКВ5 Н01L 23/48. Бюлетень №6 від 27.12.94.
  8. Бірковий Ю. Л., Маскович С. М., Гуменяк М. В., Прокіпчин В. С., Новосядлий С. П. Спосіб формування металізації для високострумових біполярних інтегральних схем. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №94210064 від 10.03.93. №4092 від 10.02.94. МКВ5 Н01L 21/28. Бюлетень Інституту промислової власності №6 від 27.12.94.
  9. Дорош М. В., Новосядлий С. П., Шарко О. В. Спосіб термострумового тренування інтегральних схем. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №94030859 від 13.12.93. №7242 12.04.94. МКВ5 G01R 31/28. Бюлетень Інституту промислової власності №7  від 28.12.94.
  10. Бірковий Ю. Л., Гутор І. М., Маскович С. М., Маскович Н. П., Новосядлий С. П. Спосіб виготовлення напівпровідникових приладів. //Позитивне рішення експертизи винаходів № 94061566 від 9.03.93. №13551 від  13.06.94. МКВ5 Н01L 4/00. Бюлетень Інституту промислової власності №8 від 29.12.94.
  11. Василів Я. О., Бірковий Ю. Л., Новосядлий С. П. Спосіб формування дворівневої металізації інтегральних схем. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №93005036 від 23.04.93. (Україна). №16566 від 5.07.94. МКВ5 Н01L 21/90. Бюлетень Інституту промислової власності №8 від 29.12.94.
  12. Когут I. Т., Новосядлий С. П. Спосiб термострумового тренування IC. // Патент України № 3923 вiд 15.07. 1994.
  13. Бірковий Ю.Л., Новосядлий С. П. Спосіб контролю малих доз іонного легування. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №94011809 від 27.01.94. №20604 від 13.10.94. МНК5 GO1 N27/22. Бюл. № 4 від 26.12.95.
  14. Бірковий Ю. Л., Василів Я. О., Новосядлий С. П. Спосіб плазмохімічного травлення. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №94011694 Україна від 10.08.94. МКВ Н01L 21/306. Бюлетень Інституту промислової власності №3 від 29.09.95.
  15. Василів Я. О., Новосядлий С. П. Спосіб виготовлення накопичувального конденсатора комірки пам’яті динамічного запам’ятовуючого пристрою довільної вибірки. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №93006892 від 13.12.93. №19900 від 19.10.95. МПК Н01L 29/68. Бюлетень Інституту промислової власності №3 від 29.09.95.
  16. Василів Я.О., Новосядлий С. П. Інтегральна схема. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №93006710 від 13.12.93.  (Україна). №15061 від 19.07.95.  МКВ5 Н01L 23/28. Бюлетень Інституту промислової власності №3 від 30.09.96.
  17. Василів Я. О., Бірковий Ю. Л., Новосядлий С. П. Спосіб виготовлення структур інтегральних схем. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №94076328 від 21.07.94. №14450 від 12.09.95. МКВ5 Н01L 21/82. Бюлетень Інституту промислової власності №1 від 22.03.96.
  18. Бірковий Ю. Л., Василів Я. О., Гутор І. М., Кочубей В. Ф., Новосядлий С. П. Спосіб конформного осадження міжшарового діелектрика для ІС. // Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці №94076329 від 21.07.94. МКВ5 H01L 21/324 №14449 від 12.09.95. Бюлетень Інституту промислової власності №1 від 29.03.96.
  19. Бережанський В.М., Новосядлий С. П. Спосіб виготовлення просвітлювальних (транспарентних) масок для фотошаблонів. // Рішення про видачу деклараційного патенту за результатами експертизи на локальну новизну на заявку №2003065811 від 24.06.2003 року./МПК 7 С30В11/02 №2938/1 від 31 січня 2004 року, Український інститут промислової власності.
  20. Новосядлий С.П., Скробач І.Я., Бережанський В.М. Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію. Деклараційний патент на винахід № 67968 А (НО1L21/306 від 15.07.04., бюл. № 7), Прикарпатський національний університет.
  21. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Патент на корисну модель № 27540 МПК Н01С8/00 від 12.11.07. Спосіб отримання n-МОН-транзисторів з від’ємною пороговою напругою, Прикарпатський національний університет.
  22. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Патент на корисну модель № 06865 МПК Н05K13/00 від 19.08.08. Спосіб юстування порогових напруг структур К-МОН ВІС радіаційною технологією, Прикарпатський національний університет.
  23. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М. Патент на корисну модель № 51487 МПК Н01М8/00 від 03.02. 10. Спосіб виготовлення високоефективних СЕ на монокремнії, Прикарпатський національний університет.
  24. Новосядлий С.П., Атаманюк Р.Б., Вівчарук В.М., Кіндрат Т.Р., Сорохтей Т.В. Патент на корисну модель № 64898 МПК Н01L21/00 від 25.11.11. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структурах ВІС, Прикарпатський національний університет.
  25. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Кіндрат Т.П. Патент на корисну модель № 68203 МПК Н01L21/20 від 26.03.12. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, Прикарпатський національний університет.
  26. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Атаманюк Р.Б. Патент на корисну модель № 68204 МПК Н01L21/00 від 26.03.12. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації субмікронних структур ВІС, Прикарпатський національний університет.
  27. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Атаманюк Р.Б. Патент на корисну модель № 72058 МПК Н01L21/00 від 10.08.12. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах ВІС, Прикарпатський національний університет.
  28. Новосядлий С.П., Бережанський В.М., Мельник Л.В., Новосядлий С.В. Патент на винахід № 108820 (бюл. № 11 від 10.05.2015 р.) Спосіб іонно-плазмового формування планарного дифузійного джерела із нітриду бору, ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника".
  29. Новосядлий С.П., Варварук В.М., Мельник Л.В. Патент на винахід № 110188 від 25.11 2015 р. Спосіб формування точкових НВЧ-діодів з малим часом переключення і відновлення, ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника".

 

Публікації кафедри:

1. Когут І.Т., Довгий В. В., Голота В. І. «Особливості проектування вихідних каскадів КМОН інтегральних схем з КНІ структурою»/ Східно - європейський журнал передових технологій №6/9 (2011).- Стр.11-14.

2. I.T. Когут «Моделювання розподілу електричних полів і порогових напруг в локальних тривимірних КНІ – структурах»/Фізика і хімія твердого тіла.-2011.-V.12.-№4.-стр.853-860.

3. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М. Еліпсометрія в субмікронній технології формування структур ВІС. // Восточно-Европейский журнал передових технологий. - 2010. № 3(7).- т 45. С. 8-17.

4. Є.С.Лєнков, І.Т.Когут «Метод статистичної оцінки характеристик вихідного сигналу кореляційних систем пасивної пеленгації джерел випромінювань із нестаціонарним флюктуючим спектром». – Радіоелектроніка та телекомунікації. Вісник НУ «Львівська політехніка» №705, 2011, стр.17-21.

5. I.T. Kogut, A.A.Druzhinin, V.I.Golota  “3D SOI elements for System-on-Chip Applications”/Advanced Materials Research,  Vol. 276(2011) pp. 137-144. (Trans. Tech. Publications. Switzerland. doi: 10.4028/www.scientific.net/AMR.276.137).

6. Anatoliy Druzhinin, Inna Maryamova, Igor Kogut, Yuriy Khoverko  “Polisilicon on Insulator Structures for Sensors Applications at Electron Irradiation & Magnetic Fields”/Advanced Materials Research,  Vol. 276(2011) pp. 109-116. (Trans. Tech. Publications. Switzerland. doi: 10.4028/www.scientific.net/AMR.276.109).

7. А.О. Дружинін, I.T. Когут «Моделювання конструктивних та електрофізичних параметрів   приладних тривимірних КНІ- структур»/Збірник наукових праць Військового інституту  Київського національного університету імені Тараса Шевченка № 32 (2011).-cтр. 22-26.

8. Druzhinin A.A., Kogut I.T., Khoverko Yu.M., Koretskii R.M. «Influence of Dispersion of Polysilicon on Low-temperature Conductivity in SOI structures» /Physics and Chemistry of Solid State.­­- 2011.-V.12.-№3.-pp.753-756.

9. А.О.Дружинін, І.Т.Когут, В.І.Голота, В.В.Довгий «Приладно-технологічне моделювання нанорозмірних тривимірних КНІ- структур».- Електроніка.-Вісник НУ «Львівська політехніка» № 708(2011).-Стр.55-63.

10. І.Й. Мар’ямова, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, О.П. Кутраков, І.Т. Когут, Н.С. Лях-Кагуй «Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge»/Електроніка, Вісник НУ «Львівська політехніка» №708(2011).-Стр.145-150.

11. Г.А. Ільчук, В.В. Кусьнеж, Р.Ю. Петрусь, О.Я. Тузяк, П.Й. Шаповал, С.В. Токарев, І.Т. Когут «Вплив умов відпалу на оптичні властивості  плівок кадмію сульфіду» /Фізика і хімія твердого тіла.-2011.-V.12.-№4.-стр.812-816.

12. Новосядлий С.П. Формування кремнієвих епітаксійних структур для суміщених ВІ-К-МОН і Д-МОН технологій ВІС. // Металофізика і новітні технології. – 2002.- Т.24.- № 3.- С. 353-365.

13. Новосядлый С.П. Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2002. - № 6. – С. 57-63.

14. Новосядлий С.П., Бережанський В.М. Мезаепіпланарна технологія – як основа в реалізації субмікронних суміщених ВІ-К-Д-МОН структур ВІС. // Восточно-Европейский журнал передових технологий.- 2007.-№1(1).- т.25.- С.40-45.

15. Мельник П.І., Новосядлий С.П., Бережанський В.М., Вівчарук В.М. Спектрометрія в субмікронній технології ВІС. // Фізика і хімія твердого тіла. -2007. № 4. Т.8. С. 791-801.

16. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М. Технологічні особливості формування шаруватих наноструктур. // Восточно-Европейский журнал передових технологий. – 2008. № 4(4).- т.34.- С.32-38.

17. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Вертепний С.М. Моделювання субмікронної та нанотехнології на основі ТС. // Восточно-Европейский журнал передових технологий. – 2009. № 1(7).- т.37.- С.26-39.

18. Новосядлый С.П., Вивчарук В.М. Формирование МОП – транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2009. - №3.(81) – С. 35-39.

19. Новосядлий С.П., Вівчарук В.М., Перегінський В.П. Конструкторсько-технологічні особливості формування транзисторних структур ВІС для аналогово-цифрової схемотехніки. // Фізика і хімія твердого тіла. -2009. № 4. Т.10. С. 957-959.


20. Новосядлий С.П., Атаманюк Р.Б., Сорохтей Т.Р., Мельник Л.В., Возняк Ю.В. Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. - Т.13, № 1. – СС. 273-278.

21. Новосядлий С.П., Терлецький А.І., Фрик О.Б. Прецизійні технології лазерної обробки тонкоплівкових елементів інтегральних схем // Восточно-европейский журнал передовых технологий. – Т. 59, №5. – СС. 35-44.

22. Новосядлий С.П., Кіндрат Т.П., Сорохтей Т.Р., Возняк Ю.В. Порівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенід галієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових ВІС // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. - Т.13, № 3. – СС. 618-624.

23. М.Ф.Павлюк, О.М. Сльотов. Механізм дефектоутворення у кристалах CdTe // Фізика і хімія твердого тіла.-2012.- Т. 11.- №3.- СC. 478-480.

24. І.Ф. Миронюк, В.В. Гуменяк, В.І. Мандзюк, Н.А. Безрука. Будова та морфологія частинок Al2O3, одержаних за різних умов газофазного синтезу // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. – Т. 13, №3. – С. 715-722.

25. Новосядлий С.П., Марчук С.М., Сорохтей Т.Р., Возняк Ю.В. Дослідження ефективності гетерних технологій в структурах GaAs // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. - Т.13, № 2. –– СС. 416-428.

26. Kogut I.T., Drushinin A.A., Holota V.I., Dovhij V.V. 3D SOI-structures for SoC and LoC sensitive elements ( CIMTEC -2012, Italia , JUNE 12-14, 2012).

27. G. Ilchuk, R. Petrus, V. Kusnesh, I. Kogut, Yu. Rud. Photoelectric properties of self oxide/Cd1-xMnxTe heterostuctures // Journal of Physical Researchs №1 (2012) – PP. 22-25.

28. Novosyadliy S.P., Кіndrat T.P., Melnyk L.V., Novosyadliy S.V. Physical and topological modeling of active elements of large integrated circuits. // Materials VI International Conference ACSN-2013. - September, 16-18, 2013. - Lviv, Ukraine.

29. Novosyadly S.P., Kindrat T.R., Melnyk L.V., Varvaruk V.M., Voznyak Yu.V. Physical and Technological Features of the Formation of Submicron Metallization GaAsnStructures LSI ion Milling. // Materials XIV international conference Fhysics and Technology of thin Films and Nanosystems. - May, 20-25, 2013 year/ - Ivano-Frankivsk, Ukrain.

30. V.I. Holota, I.T. Kogut, A.A. Druzhinin, Y.M. Khoverko High sensitive active MOS image pixel on the local 3D SOI-structure // 2nd Ukrainian-French Seminar “Semiconductor-On-Insulator Materials, Devices and Circuits: Physics, Technology and Diagnostics”, 8–11 April, 2013, Kyiv, Ukraine. – 2013. – P.42-43.

31. Varvaruk V., Lishchynskyy I., Kaban I., Klanichka V., Zapukhlyak R., Kushnir A. The influence of silver on the crystallization process of AsTe based glasses // VI українська наукова конференція з фізики напівпровідників, 30 вересня – 4 жовтня 2013 р.: Чернівці.

32. С.П. Новосядлий, А.І. Терлецький, О.Б. Фрик. Технологія епітаксійного формування силіцидів для підвищення швидкодії ВІС. // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції 24-26 жовтня 2013 р., Чернівці. – С. 167.

33. V.І. Маndzyuk, N.I. Nagirna, Yu. O. Kulyk. The effect of thermal activation on structure of nanoporous carbon materials // The International Summer School Nanotechnology: From Fundamental Research to Innovations and International Research and Practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (Nano-2013), 25 August – 1 September, 2013, Bukovel, Ukraine. – P. 141.

34. С.П. Новосядлий, Л.В. Мельник, Т.П. Кіндрат. Фізико-технологічні аспекти багатозарядної імплантації арсенід галію в структурах приладів і схем. // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2013. - №5/5(65). - С. 29-36.

35. С.П. Новосядлий, Л.В. Мельник. Особливості проектування слухових апаратів на інтегральній елементній базі. // Прикарпатський вісник НТШ. Серія 'Число'. - 2013. - № 1 (17). - С.220-237.

36. С.П. Новосядлий, Л.В. Мельник, Т.П. Кіндрат, В.М. Варварук. Фізико-технологічні особливості формування металізації субмікронних GaAs - структур іонним фрезеруванням // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2013, - №4/5(64). - С. 1-6.

37. С.П. Новосядлий, Л.В. Мельник, С.В. Новосядлий. Адаптивні фільтри в цифровій обробці сигналів сучасних, телекомунікаційних систем // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2013, - №2/9(62). С. 48-55.

38. Р.І. Запухляк, Т.О. Паращук, В.М. Чобанюк, Н.Д. Фреїк, П.М. Фочук. Термодинамічні властивості кристалів сфалеритного цинк телуриду: квантово-механічний розрахунок (Огляд) //Фізика і хімія твердого тіла. -Т.14, № 3 (2013). -с.463-475.

39. В.І. Мандзюк, Ю.О. Кулик, Н.І. Нагірна, Климишин І.А., Будзуляк І.М. Вплив термічної активації пористого вуглецевого матеріалу на його структурні та електропровідні параметри // Фізика і хімія твердого тіла. – 2013. – Т. 14, №1. – С. 154-161.

40. В.І. Мандзюк, Р.П. Лісовський, Н.І. Нагірна, Б.І. Рачій. Структура пористих вуглецевих матеріалів згідно методу адсорбції / десорбції азоту // Фізична інженерія поверхні. – 2013. – Т. 11, №1. – С. 112-121.

41. В.І. Мандзюк, І.Ф. Миронюк, В.В. Гуменяк. Електрохімічна інтеркаляція йонів літію в композиційний матеріял Al2O3 – графен // Вісник Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника. Серія хімія. – 2012. – Випуск XVI. – С. 95-101.

42. В.І. Мандзюк, Н.І. Нагірна. Кінетика процесу електрохімічної інтеркаляції іонів літію в пористий вуглецевий матеріал // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2013. – Т. 4/8, №64. – С. 42-48.

43. О.Л. Соколов, Я.П. Салій, І.С. Билина, М.Ф.Павлюк. Процеси формування конденсаторів CdTe // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т 14, №2.- С.420-426.

44. A.A. Druzhinin, I.T. Kogut, Y.N. Khoverko, R.N. Koretskii. Magneto-transport properties of polysilicon in SOI structures at low temperatures // Symposium of Nanostructured Materials “NANO 2013”, 21–22 May, 2013, Rzeszow, Poland. – 2013. – P.52–53.

45. Дружинін А.О., Когут І.Т., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Перетятко В.М. Низькотемпературні характеристики полікристалічного кремнію в КНІ-структурах // Тези доповідей VI-ї Української наукової конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-6), 30 вересня – 4 жовтня, Чернівці, Україна. – 2013. – С. 345–346.

46. V.I. Holota, I.T. Kogut, A.A. Druzhinin, Y.M. Khoverko. High sensitive active MOS image pixel on the local 3D SOI-structure // 2nd Ukrainian-French Seminar “Semiconductor-On-Insulator Materials, Devices and Circuits: Physics, Technology and Diagnostics”, 8–11 April, 2013, Kyiv, Ukraine. – 2013. – P.42–43.

47. G.A.Ilchuk, I.V.Kurilo,V.V.Kusnezh, R.Yu.Petrus, I.T.Kogut, T.V.Stan’ko. Modeling and Fabrication of three-dimensional silicon substrates with tailored shape and Microphotography parameters for CdTe films // Inorganic Materials, March 2013, Vol.49, Issue 3, pp.239-246.

48. V. Holota, I. Kogut, A. Druzhinin, Y.Khoverko. High sensitive active MOS photo detector on the local 3D SOI-structure // Advanced Materials Research, Vol.(2013), pp.45-47. Trans Tech Publications, Switzerland. Doi:10.4028/www.scientific.net/AMR.854.45

49. Anatoliy Druzhinin, Igor Kogut, Yuriy Khoverko, Victor Golota. Accelerometer Sensing Element Based On Nanostructured Silicon // Computational Problems of Electrical Engineering.– 2013.– V.3, No.1.– P.13–18.

50. Druzhinin A.A., Kogut I.T., Khoverko Yu.N., Vuitsyk A.N. Charge carrier transport of polysilicon in SOI structures at low temperatures // Physics and Chemistry of Solid State.– 2013.– V.3.– P.657–661.

 

 

 

Пошук
Наша гордість
Facebook

Фізико-технічний факультет ПНУ

Хто зараз на сайті

На сайті 14 гостей та відсутні користувачі

Лічильник відвідувань
665055
Сьогодні
Вчора
Цього тижня
Минулого
Всього
636
538
1827
11999
665055

Ваша IP: 54.163.39.19
Дата та час: 2018-01-16 22:50:41
Погода
Акредитація і ліцензування